高于1100K时，国网锂离子开始为类液态，对流动热导率和截项热导率的贡献显著增加。
d）通过PECVD方法制备的4英寸晶圆级石墨烯玻璃的照片（远程射频PECVD，西北系统550℃，100W，0.2TorrCH4）。4、分部金属催化辅助石墨烯生长4-1金属蒸汽催化石墨烯生长图7金属-蒸气-催化剂辅助的石墨烯在玻璃上的生长a）Cu-蒸气-催化石墨烯生长示意图，分部铜箔位于衬底上游。
2、完成石墨烯在耐高温玻璃上的生长2-1常压CVD方法图2石墨烯在耐高温玻璃上的直接APCVD生长a）硼硅玻璃在石墨烯生长之前（最左侧）和之后的照片，完成CH4流速分别为2和7.5sccm（Ar/H2：100/50sccm，1000℃，2小时）。最后从大规模生产超级石墨烯玻璃的角度讨论，电力未来实际应用中面临的挑战。监控技术建设等离子体增强CVD（PECVD）技术则可以实现玻璃衬底上石墨烯的低温生长。
在目前阶段，可信玻璃衬底上高质量石墨烯的CVD生长仍存在很多挑战，超级石墨烯玻璃的理论与现实之间仍然存在很大差距。图3通过混合CVD工艺在玻璃上生长石墨烯a）气流限域实验设计示意图：验证将磨砂石英板放置在目标玻璃基板上，形成2-4μm的间隙。
相信随着石墨烯玻璃生长技术的突破，试点在不远的将来超级石墨烯玻璃有望成为石墨烯的撒手锏级应用。
所有其他生长参数保持相同（≈1040°C，国网Ar/H2/CH4：150/30/10sccm），比例尺：2μm。这一发现，西北系统可以实现大规模的单晶金属箔片工业化生产。
这些单晶金属箔片在表面科学、分部基础催化研究和各种其他应用领域中具有许多用途。【成果简介】今日，完成在韩国基础科学研究所RodneyS.Ruoff教授和Hyung-JoonShin教授（共同通讯作者）团队的带领下，完成与蔚山国立科技研究所和成均馆大学合作，报道了一种无接触退火（CFA）策略，实现了通过商业多晶箔片普适性制备大面积单晶金属箔片。
【图文导读】图1通过CFA生产的单晶Cu（111）箔片图2通过CFA生产的单晶Pt（111）箔片图3 大面积单晶Cu的织构演变和晶粒长大图4从{112}111向{111}112方向转变的单晶fcc箔片文献链接：电力Colossalgraingrowthyieldssingle-crystalmetalfoilsbycontact-freeannealing（Science,2018,DOI：电力10.1126/science.aao3373）本文由材料人编辑部学术组木文韬翻译，材料牛整理编辑。监控技术建设单晶薄金属膜也可以通过沉积在单晶无机衬底的顶部制备而成
